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Marca: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
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Número do modelo: | IRF1404ZPBF |
Quantidade de ordem mínima: | 1 parte |
Tempo de entrega: | 2~8 dias úteis |
Termos de pagamento: | T/T |
Tipo: | Infineon Technologies/retificador internacional IOR | Certificado: | / |
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Modelo: | IRF1404ZPBF | MOQ: | 1 PC |
Preço: | Negotiated | Entrega: | 2~8 dias úteis |
Pagamento: | T/T | ||
Realçar: | transistor do canal de 200W N,transistor do canal de 180A N,IRF1404ZPBF |
Descrição do produto
N-canal 180A 200W dos transistor de IRF1404ZPBF através dos MOSFETs dos FETs do furo TO-220AB HEXFET
N-canal 180A (Tc) 200W (Tc) com a especificação do furo TO-220AB:
Categoria | Produtos de semicondutor discretos |
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | HEXFET® |
Pacote | Tubo |
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 40 V |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 180A (Tc) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4340 PF @ 25 V |
Característica do FET | - |
Dissipação de poder (máxima) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220AB |
Pacote/caso | TO-220-3 |
Número baixo do produto | IRF1404 |
Descrição
Este MOSFET do poder de HEXFET® utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
As características adicionais deste produto são uma temperatura de funcionamento da junção 175°C, a velocidade rapidamente de comutação e avaliação repetitiva melhorada da avalancha. Estas características combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.