O melhor serviço, a melhor microplaqueta
A obtenção de uma parada a maior de China dos componentes
| Marca: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
|---|---|
| Número do modelo: | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Quantidade de ordem mínima: | 1 parte |
| Tempo de entrega: | 2~8 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Tipo: | Infineon Technologies/retificador internacional IOR | Certificado: | / |
|---|---|---|---|
| Modelo: | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF | MOQ: | 1 PC |
| Preço: | Negotiated | Entrega: | 2~8 dias úteis |
| Pagamento: | T/T | ||
| Realçar: | Mosfet do poder do FET HEXFET,Mosfet do poder de IRFB7440PBF HEXFET,IRFB4310PBF |
||
Descrição do produto
MOSFETs dos FETs dos transistor TO-220AB HEXFET de IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
N-canal 180A 200W dos transistor através dos MOSFETs dos FETs do furo TO-220AB HEXFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descrição:
Este MOSFET do poder de HEXFET® utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
As características adicionais deste produto são uma temperatura de funcionamento da junção 175°C, a velocidade rapidamente de comutação e avaliação repetitiva melhorada da avalancha. Estas características combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
N-canal 180A (Tc) 200W (Tc) com a especificação do furo TO-220AB:
|
Categoria
|
Produtos de semicondutor discretos
|
|
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
|
|
|
Mfr
|
Infineon Technologies
|
|
Série
|
HEXFET®
|
|
Pacote
|
Tubo
|
|
Tipo do FET
|
N-canal
|
|
Tecnologia
|
MOSFET (óxido de metal)
|
|
Drene à tensão da fonte (Vdss)
|
40 V
|
|
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
|
180A (Tc)
|
|
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
|
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
|
3.7mOhm @ 75A, 10V
|
|
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
|
4V @ 250µA
|
|
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
|
150 nC @ 10 V
|
|
Vgs (máximo)
|
±20V
|
|
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
|
4340 PF @ 25 V
|
|
Característica do FET
|
-
|
|
Dissipação de poder (máxima)
|
200W (Tc)
|
|
Temperatura de funcionamento
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
|
Montando o tipo
|
Através do furo
|
|
Pacote do dispositivo do fornecedor
|
TO-220AB
|
|
Pacote/caso
|
TO-220-3
|
|
Número baixo do produto
|
IRF1404
|
