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Marca: | Texas Instruments |
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Número do modelo: | LM9061QDRQ1 |
Quantidade de ordem mínima: | 1 parte |
Tempo de entrega: | 2~8 dias úteis |
Termos de pagamento: | T/T |
Tipo: | Texas Instruments | Certificado: | / |
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Modelo: | LM9061QDRQ1 | MOQ: | 1 PC |
Preço: | Negotiated | entrega: | 2~8 dias úteis |
Pagamento: | T/T | ||
Realçar: | SMD que monta EMI Filter IC,SI EMI Filter IC,LM9061QDRQ1 |
SMD que monta EMI Noise Filter IC Texas Instruments/SI LM9061QDRQ1
Módulo de ECAD | Símbolo, pegada & modelo 3D do PWB |
ECCN | EAR99 |
País de origem | Malásia |
Halogênio livre | Complacente |
EOL Date calculado | 2028 |
Estado da oferta e procura | Limitado |
Ameaça falsificada no mercado livre | 53 pct. |
Popularidade | Meio |
Fabricante Package | 8-SOIC |
Pacote | 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm) |
Montagem | SMD |
Variação da temperatura de funcionamento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Data de introdução | 24 de novembro de 2014 |
Tensão da lógica - VIL, VIH | 1.5V, 3.5V |
Tipo da porta | MOSFET do N-canal |
Número de motoristas | 1 |
Tipo de canal | Único |
Número da peça da fonte da vitória | 1200910-LM9061QDRQ1 |
Empacotamento | Carretel - TR |
Nome de família | LM9061 |
Fabricante | Texas Instruments |
Categorias | Circuitos integrados (CI) |
Tensão de fonte do funcionamento | 7 V ~ 26 V |
Configuração conduzida | Alto-lado |
Série | Automotivo, AEC-Q100 |
A família LM9061 consiste em dispositivos da carga-bomba que fornece a movimentação da porta a um MOSFET da alimentação externa de todo o tamanho configurou como um motorista ou um interruptor do alto-lado. Isto inclui MOSFETs conectados paralelos múltiplos para aplicações atuais muito altas. Um CMOS lógica-compatível e FORA de controles de entrada a tensão da movimentação da porta de saída. No no estado, a tensão da bomba de carga, que está bem acima da fonte VCC disponível, é aplicada diretamente à porta do MOSFET. Um 15-V incorporado Zener aperta a porta máxima à tensão da fonte do MOSFET. Quando comandado FORA de um dissipador 110-µA atual descarrega as capacidades da porta do MOSFET para que uma característica gradual do turnoff minimize a duração de tensões transientes da carga indutiva e protejam mais o MOSFET do poder.
A proteção sem perda do MOSFET do poder é uma característica chave do LM9061. A queda de tensão (VDS) através do dispositivo de poder continuamente é monitorada e comparada contra uma tensão externamente programável do ponto inicial. Um resistor dedetecção pequeno com a carga, que causa uma perda de energia disponível, não é exigido em série para os circuitos da proteção. Se o VDSvoltage, devido à corrente excessiva da carga, excede a tensão do ponto inicial, a saída está travada FORA em uma forma mais gradual (através de um dissipador da corrente de saída 10-µA) após um intervalo de tempo programável do atraso.